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　　答：常有的绝缘电线有以下几种：聚氯绝缘电线、聚氯绝缘软线、聚氯混合物绝缘软线、橡皮绝缘电线、农用地下直埋铝芯塑料绝缘电线、橡皮绝缘棉纱纺织软线、聚氯绝缘尼龙护套电线、电力和照明用聚氯绝缘软线等。
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废品 从一份国内再生资源利用市场分析报告了解到，上世纪末，发达 再生资源产业规模已达2500亿美元，本世纪初已增加到6000亿美元。“目前再生资源企业有5000多家，网点16万个（未登记或临时的网点有近40万个），工厂3000多家，从业人员140万人。若包括进城收废品的农民工，国内废旧物资行业的就业人数近1000万。遍布 各地，并且在一些重点地区形成了不同的产业规模。每年可的再生资源近1亿吨，价值2000多亿元，其中废钢铁4000多万吨、废纸3000多万吨、废有色金 多万条、其他废旧物资1000多万吨。
上初中物理就学过P=UI这个计算电功率的公式，相信大家对这个公式都不陌生。但这个 基本的公式不是适用所有电路的，一般情况下只适用于直流电路和交流纯电阻电路。直流电路不用说。交流纯电阻电路就是电能完全转化为内能的电路，如：白炽灯，电炉，电烤箱等。白炽灯电炉其实正弦交流电路功率计算公式是P=UIcosφ（cosφ就是功率因数）φ为电压和电流的相位差，纯电阻电路φ=0，根据三角函数推出，cos0°=sin90°=1，所有，此公式可以简化为P=UI。流程总结：将外接电位器的两端分别接变频器的+10V和ACM，将电位器的滑动端接电压输入端I。变频器与外接电位器之间的连接线要选用屏蔽线，且要三线均屏蔽的，如果变频器与外接电位器之间距离超过2米，就要考虑屏蔽线的质量，线径不能小。如果变频器与外接电位器之间距离超过10米，那么在保证屏蔽线的质量和线径下，还需要再套铁管。在保证屏蔽线的质量和线径下套铁管，距离可以超过200米，原则是变频器端，线路压降可以忽略，若压降过大，可以用单芯铜线屏蔽代替屏蔽线。它用逻辑图和逻辑符号表示，有效高电平、低电平。触发器按逻辑功能分类它主要有以下四种：RS触发器：即在时钟脉冲作用下，根据输入信号R，S取值不同，凡具有置0，置1和保持功能的电路，都称为RS型时钟触发器，简称为RS触发器。JK触发器：即在时钟脉冲作用下，根据输入信号J，K取值的不同，凡具有保持，置0，置1，翻转功能的电路，都称为JK型时钟触发器，简称为JK触发器。D触发器：即在时钟脉冲作用下，凡具有置0，置1功能的电路，都叫D型时钟触发器，简称为D触发器。将程序下传到PLC中进行在线的调试。如果设备不动或运行中出现异常情况，先不要去修改程序，很可能是传感器没有调试到位，如果确保传感器无误，再去修改程序。调试完成后，再次编辑程序在上一步的调试中，由于对程序有所修改，故必须再次整体检查或编辑一下程序，然后将 终的程序下传到PLC中。保存程序在这一步中，要注意一个问题，就是应该将程序保存在什么地方？PC硬盘？闪存设备？硬盘？当然这些都不可以，所有这些存储设备都可能感染。对一个高速计数器第二次执行HDEF指令会引起运行错误，而且不能改变次执行HDEF指令时对计数器的设置。PS:虽然下列步骤描述了如何分别改变计数方向、初始值和预置值，但完全可以在同一操作步骤中对全部或者任意参数组合进行设置，只要设置正确的SMB47然后执行HSC指令即可。初始化模式0、1或2HSC1为内部方向控制的单相增/减计数器（模式0、1或2），初始化步骤如下：1.用初次扫描存储器位（SM0.1=1）调用执行初始化操作的子程序。即50mm、70mm导线的载流量为截面数的3倍；95mm、120mm导线载流量是其截面积的5倍，依次类推。"条件有变加折算，高温九折铜升级"：这个口诀指的是铝芯线载流量的计算方法，明敷在环境温度25℃的条件下。版权所有。若环境温度长期高于25℃，按此口诀计算方法算出载流量，然后打九折，比如：2.5mm的铝线，2. 0.25A。如果是铜芯电缆，它的载流量计算按铝线规格升 计算，比如：4mm的铜线，按6mm铝线计算，16mm铜线按25mm铝线计算。当万用表出现“低电量”提示后，大家应抓紧时间更换电池。不然影响测量精度的同时，更会使一些万用表内部的电量管理线路发生“锁死”现象，致使万用表无法正常机使用。本人就因此废过两块价格不菲的万用表，可谓是深有体会。使用万用表过程中，拨动档位关时大家应到用力适中，切忌一路火花带闪电式的猛拨一通。这是因为大部分（尤其是普及版的电工测量万用表）万用表档位转换是由档位关下部铜片与内部PCB印刷线路板上预留铜箔进行不同组合来实现的，如果大力不间断的拨动档位关，必然加剧铜片与铜箔之间的磨损，轻则影响到测量精度（接触电阻）重则大幅缩短万用表使用寿命。场效应管通常分为两类：JFET和MOSFET。这两类场效应管都是压控型的器件。场效应管有三个电极，分别为：栅极漏极D和源极S。目前MOSFET应用广泛，JFET相对较少。MOSFET可以分为NMOS和PMOS，下图是PMOS的结构图、NMOS和MOSFET的电路符号图。PMOS的结构是这样的：在N型硅衬底上了两个P型半导体的P+区，这两个区分别叫源极S和漏极D，在N型半导体的绝缘层上引出栅极G。

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